中国储能网讯：6月4日，记者从武汉理工大学获悉，该校麦立强教授团队在场效应储能芯片研究上取得新进展，相关成果在《细胞》杂志子刊《化学》上发表。该团队在储能芯片领域，设计构筑了第一个单根纳米线电化学储能器件，实现单纳米基元电化学储能器件从0到1的突破，进而研制出多点接触型等10套单纳米基元微纳电化学器件。 这项开创性成果，曾受《自然》杂志邀请发表了该刊首篇以单根纳米线电化学器件为代表的实时监测电池退化专题论文。这是该团队在储能芯片领域又一突破。（科技日报记者 吴纯新 通讯员 谢小琴）
中国储能网讯：6月4日，记者从武汉理工大学获悉，该校麦立强教授团队在场效应储能芯片研究上取得新进展，相关成果在《细胞》杂志子刊《化学》上发表。该团队在储能芯片领域，设计构筑了第一个单根纳米线电化学储能器件，实现单纳米基元电化学储能器件从0到1的突破，进而研制出多点接触型等10套单纳米基元微纳电化学器件。 这项开创性成果，曾受《自然》杂志邀请发表了该刊首篇以单根纳米线电化学器件为代表的实时监测电池退化专题论文。这是该团队在储能芯片领域又一突破。（科技日报记者 吴纯新 通讯员 谢小琴）
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