2011年瑞士联邦理工学院洛桑分校(EPFL)科学家制造出全球第一个辉钼矿微晶片(上面有更小且更节能的电晶体)辉钼是未来取代硅基芯片强力竞争者!领导研究的安德拉斯·基什教授表示，辉钼是良好的下一代半导体材料，在制造超小型晶体管、发光二极管和太阳能电池方面具有很广阔的前景秀，而这次美国加州纳米技术研究院制成的辉钼基柔性微处理芯片未来前景将更加广泛。
同硅和石墨烯相比，辉钼的优势之一是体积更小，辉钼单分子层是二维的，而硅是一种三维材料。在一张0.65纳米厚的辉钼薄膜上，电子运动和在两纳米厚的硅薄膜上一样容易，辉钼矿是可以被加工到只有3 个原子厚的!
辉钼所具有的机械特性也使得它受到关注，有可能成为一种用于弹性电子装置(例如最近出现在弹性薄层晶片设计中的那种)中的材料。 可以用在制造可卷曲的电脑或是能够贴在皮肤上的装置。甚至可以植入人体。
英国《自然·纳米技术》杂志就指出：单层的辉钼材料显示出良好的半导体特性，有些性能超过现在广泛使用的硅和研究热门石墨烯，可望成为下一代半导体材料。
