中国储能网讯：近期，上海微系统与信息技术研究所研究发现，在绝缘体上制备石墨烯使用锗薄膜做催化剂，可制备出高质量单层石墨烯材料，解决了使用其他金属催化剂引入金属沾污的问题。该项研究为获得晶圆级绝缘体上石墨烯奠定了基础，有助于推动石墨烯材料在微电子领域的应用。
业内表示，石墨烯，由于其优异的物理性质一直受到学术界的广泛关注，为了实现在微电子领域的应用，石墨烯薄膜需要转移或直接生长到绝缘衬底上。直接在绝缘衬底上生长石墨烯，有利于获得晶圆级石墨烯材料，对推动石墨烯材料在集成电路等领域的应用具有重要意义。锗材料应用范围增加，相关锗资源公司有望受益。
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