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新纳晶光电芯片发光效率再创新高

作者:新闻中心 来源:数字储能网 发布时间:2013-07-18 浏览:
     中国储能网讯:新海宜控股子公司苏州新纳晶光电科技有限公司日前宣布,该公司生产的白光芯片发光效率达到了185流明每瓦,处于国内领先水平。
 
  据了解,目前国内芯片厂商水平不一,LED芯片发光效率参差不齐,与国际先进水平还有一定差距。新纳晶光电总经理王怀兵博士介绍说,除了185流明这一技术指标在国内领先外,公司采用的COB光源生产工艺,单次可以集成100粒芯片,良品率在98%以上。此外,公司解决了外延芯片生产的技术运用难题,69片机MOCVD设备已经投入量产。这意味着新纳晶公司外延片摊销成本与同类企业相比将更具优势。王怀兵表示,人们对LED照明的认识越来越深入,市场从今年开始进入了快速上升通道。
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关键字:光电 芯片 发光

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