近日，在浙江中科院应用技术研究院嘉兴微电子设备与仪器工程中心，由夏洋带领的微电子仪器与设备创新团队，在晶硅太阳能电池表面钝化技术的研究中取得新进展。
该创新团队利用自主设计生产的KMT-200A型原子层沉积设备，在P型单晶硅片上生长氧化铝钝化层，退火后平均少子寿命可达1ms，有效减少了硅片表面复合，具有优秀的表面钝化效果。
在半导体材料中，某种载流子占少数，导电中起到次要作用，则称它为少子。单晶硅中掺硼为P型，掺硼越多，则能置换硅产生的空穴也越多，导电能力越强，电阻率就越低。
目前，微电子仪器与设备创新团队以技术优势，吸引美国硅谷研究团队来嘉兴开展原子层技术合作，加快了国内开发原子层沉积设备的研制，推进该项目在嘉兴市的产业化。
嘉兴中心推出了一系列的拥有自主知识产权和创新的原子层沉积设备产品，包括热型设备、等离子体增强型设备和适于光伏产业应用的批量型设备，实现了国产原子层沉积设备在光伏产业首创应用的新局面，为下一代高效晶硅太阳能电池产业的发展提供了国产化设备支撑。
